類比訊號處理及功率管理方案供應商Zetex Semiconductors，近日推出三款針對可用驅動電壓有限的應用而設計的N通道增強型 MOSFET。
這三款新元件分別為20V的ZXMN2B03E6 (SOT236封裝)、ZXMN2B14FH及ZXMN2B01F (兩者均屬SOT23封裝)。它們可在1.8VGS下提供低損耗開關功能，因此能以兩個1.2V電池或一個鋰電池來驅動。它們的閘驅動超低，可直接通過邏輯閘來驅動。
Zetex保證三款新MOSFET的通態電阻 (RDS(ON) )，在1.8VGS下分別低於75mΩ、 100mΩ和200mΩ，在4.5VGS下則低於 40mΩ、55mΩ和100mΩ，在低電壓應用中十分適用，例如高端斷線開關的電平位移、升壓轉換器電路的外部開關，以至低電壓微控制器和馬達、螺絲管等負載的緩衝等。
快迅開關是Zetex專有UMOS技術的另一項主要特點。例如ZXMN2B01F在VGS = 4.5V和ID = 1A情況下的上升和下降時間只有3.6ns及10.5ns。
這三款新元件分別為20V的ZXMN2B03E6 (SOT236封裝)、ZXMN2B14FH及ZXMN2B01F (兩者均屬SOT23封裝)。它們可在1.8VGS下提供低損耗開關功能，因此能以兩個1.2V電池或一個鋰電池來驅動。它們的閘驅動超低，可直接通過邏輯閘來驅動。
Zetex保證三款新MOSFET的通態電阻 (RDS(ON) )，在1.8VGS下分別低於75mΩ、 100mΩ和200mΩ，在4.5VGS下則低於 40mΩ、55mΩ和100mΩ，在低電壓應用中十分適用，例如高端斷線開關的電平位移、升壓轉換器電路的外部開關，以至低電壓微控制器和馬達、螺絲管等負載的緩衝等。
快迅開關是Zetex專有UMOS技術的另一項主要特點。例如ZXMN2B01F在VGS = 4.5V和ID = 1A情況下的上升和下降時間只有3.6ns及10.5ns。
