快捷半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出11種新型MicroFET™ MOSFET產品，提供業界最廣泛的的散熱快極小化、扁平的 (2 x 2 x 0.8mm) 元件，支援30V和20V以下的低功耗應用。這些包括行動電話、數位相機、遊戲、遠端POS終端，以及其他大量生產的可攜式產品，它們為了延長電池壽命及保證可靠性而需要優化的空間和出色的導熱及電氣特性。MicroFET功率開關結合快捷半導體的先進PowerTrench® 技術和業界標準的模塑無腳封裝 (molded leadless package，MLP)，因此，與傳統使用較大型封裝的功率MOSFET比較，MicroFET 元件在導熱性能和節省空間方面有著顯著的優勢。
在充電器、升壓轉換器、DC/DC轉換器及負載開關應用中廣泛採用的SSOT-6或SC-70器件封裝之外，快捷半導體的MicroFET採用MLP封裝為設計工程師帶來全新的封裝選擇。採用2x2mm MLP封裝的MicroFET較3x3mm SSOT-6封裝的MOSFET體積縮小55%，同時具有更高的性能。例如，與典型的雙P 通道 SSOT-6 (9mm2) 器件比較，MicroFET (4mm2) 的 RDS（ON） 降低了17% (95與115mΩ 之比)、熱阻降低16% (151與180°C/W 之比 (copper pad value))。此外，與較大的3x1.9mm MLP元件甚至是相近較小型的SC-70封裝元件相比，MicroFET元件提供的導熱性能和效率明顯高出很多。舉例來說，與雙 P通道SC-70元件比較，快捷半導體MicroFET的RDS（ON） 低80%、熱阻低65%。
快捷半導體低壓功率業務行銷總監Chris Winkler表示：“快捷半導體提供了支援低壓應用的最完整產品系列。這些易於實現和節省空間的高性能MOSFET，是所有使用者的低壓開關和功率管理/電池充電系統的理想選擇。在2005年，快捷半導體率先推出MLP封裝的MicroFET，具有SC-70 Footprint 卻能提供SSOT-6元件般的高性能。快捷半導體此次推出11種新器件，為客戶提供了更多擴充的MicroFET產品系列之選擇。”
這些無鉛器件能達到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C標準要求，並符合現已生效的歐盟標準。
欲獲更多訊息，請造訪快捷半導體的網頁，網址為：www.fairchildsemi.com
在充電器、升壓轉換器、DC/DC轉換器及負載開關應用中廣泛採用的SSOT-6或SC-70器件封裝之外，快捷半導體的MicroFET採用MLP封裝為設計工程師帶來全新的封裝選擇。採用2x2mm MLP封裝的MicroFET較3x3mm SSOT-6封裝的MOSFET體積縮小55%，同時具有更高的性能。例如，與典型的雙P 通道 SSOT-6 (9mm2) 器件比較，MicroFET (4mm2) 的 RDS（ON） 降低了17% (95與115mΩ 之比)、熱阻降低16% (151與180°C/W 之比 (copper pad value))。此外，與較大的3x1.9mm MLP元件甚至是相近較小型的SC-70封裝元件相比，MicroFET元件提供的導熱性能和效率明顯高出很多。舉例來說，與雙 P通道SC-70元件比較，快捷半導體MicroFET的RDS（ON） 低80%、熱阻低65%。
快捷半導體低壓功率業務行銷總監Chris Winkler表示：“快捷半導體提供了支援低壓應用的最完整產品系列。這些易於實現和節省空間的高性能MOSFET，是所有使用者的低壓開關和功率管理/電池充電系統的理想選擇。在2005年，快捷半導體率先推出MLP封裝的MicroFET，具有SC-70 Footprint 卻能提供SSOT-6元件般的高性能。快捷半導體此次推出11種新器件，為客戶提供了更多擴充的MicroFET產品系列之選擇。”
這些無鉛器件能達到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C標準要求，並符合現已生效的歐盟標準。
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