快捷半導體推出符合IMVP4/6 Vcore 的 30V 同步降壓晶片組

快捷半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出的同步降壓轉換器晶片組，是特別為採用最新 IMVP (英代爾行動電壓準位) 技術規格筆記型電腦中效率和空間的最佳化所設計之新款產品。透過快捷半導體的PowerTrench® MOSFET技術，上端“控制”MOSFET (FDS6298) 和下端“同步”MOSFET (FDS6299S) 即可構成一組晶片組，為同步降壓轉換器應用提供更大的電流密度和更高的效率。此外，FDS6299S器件的單石 (monolithic) SyncFET™ 技術不須使用外部的肖特基二極體，因此能節省電路板空間和裝配成本。

快捷半導體計算機解決方案市場經理David Grey表示：“快捷半導體PowerTrench的技術支援可以提高效率。在同步降壓轉換器應用中，性能通常是由效率來衡量。更高的效率往往意味著晶片的溫度較低、可靠性更高，以及是改善電磁相容性或EMI的指標。我們的技術還降低了由擊穿引起大電流尖峰產生的機會，因此減少了信號振盪和電磁雜訊輻射。此外，與需要外部肖特基二極體的解決方案相比，快捷半導體的FDS6298/FDS6299S晶片組可利用配對的整合式SyncFET™元件來減少元件數目。”

這種整合晶片組的米勒電荷 (Miller) Qgd極低，並具有快速的開關速度和小於1的Qgd / Qgs比，以限制交叉傳導 (Cross-conduction) 損耗的可能性。除了Vcore設計之外，快速開關FDS6298和低導通阻抗RDS（on） FDS6299S提供了配對使用的好處，非常適用於高階通信設備等應用中的高電流負載 (POL) 轉換器。



FDS6298 (上端) MOSFET的主要性能特性包括：
 低Qg  (9nC @ VGS=4.5V) 和Qgd (3nC @ VGS=4.5V)，具有快速開關速度，能提高效率；
 最佳化的晶片和導線架設計，能降低封裝阻抗和電感、減少傳導損耗及電源端電感開關損耗；
 100% 的Rg測試，可確保交換開關特性的穩定。

FDS6299S (下端) MOSFET的主要性能特性包括：
 可減少DC損耗的低導通阻抗RDS（on） (3.9mOhm (max) @ VGS = 10V)；
 可提高效率的低本體二極體 (body diode) 損耗 (低 QRR 和低前向電壓降)；
 低雜訊的軟恢復特性和低Crss可以預防潛在性的交叉傳導。
 非常低的Qg (31nC @ VGS=5V)可減少閘極驅動能力的要求。

這些產品均採用無鉛SO-8封裝，能達到甚至超越IPC/JEDEC的 J-STD-020B標準要求，並符合現已生效的歐盟標準。

FDS6298/FDS6299S同步降壓轉換器晶片組是快捷半導體採用創新技術解決計算機應用特定問題的又一範例。快捷半導體提供多種相輔相成的產品以滿足現今的設計挑戰，包括功率放大器、多相DC/DC控制器，以及LDO等多負載產品。

價格 （訂購1000個）： FDS6298每個0.62美元
FDS6299S每個1.18美元
供貨： 現貨
交貨期： 收到訂單後12周內

欲獲更多訊息，請造訪快捷半導體的網頁，網址為：www.fairchildsemi.com，或聯絡快捷半導體香港辦事處，電話為 (852) 2722 8338；或台灣辦事處，電話為 (886-2) 2712 0500。要瞭解有關產品的更多資訊，請訪問網頁：http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDS6298.html；
http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDS6299S.html；
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDS6298.pdf；
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDS6299S.pdf。