全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR） 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，為包括開關模式電源（SMPS）、不斷電系統（UPS）、反相器以及DC馬達驅動器等工業應用，提供非常低的閘電荷（Qg） 。
與其他競爭元件相比，IR 150V MOSFET提供的總閘電荷低多達59%。至於新款200V MOSFET的閘電荷，則比競爭元件的低多達33%。
IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：「隨著DC-DC功率轉換應用技術日益進步，開關頻率也有所提高，輸入電容和閘電荷在整體效率方面擔當起重要的角色。開關損耗的多少對快速開關電路來說是關鍵的問題。IR新推出的150V和200V MOSFET正好針對這個挑戰作出最佳化，所以非常適合作為電訊應用中隔離式DC-DC轉換器的主要開關，又或者在任何先進的DC-DC應用中推動輕負載效率。」
這些新款MOSFET達到工業級別及第一級濕度感應度（MSL1）。它們採用TO220、D2PAK、TO262、DPAK和IPAK封裝，全部皆為無鉛設計，並符合電子產品有害物質管制規定（RoHS）指令。
產品的基本規格：
元件編號 封裝 電壓 (V) Id (A) 最大RDS(on) (mOhms) Qg (nC)
IRFB4615PBF TO220 150 35 39 26
IRFS4615PBF D2PAK 150 35 39 26
IRFSL4615PBF TO262 150 35 39 26
IRFB4620PBF TO220 200 25 72.5 25
IRFS4620PBF D2PAK 200 25 72.5 25
IRFSL4620PBF TO262 200 25 72.5 25
現在這些元件已有供應，詳細資料也已刊登於IR的網站www.irf.com。
與其他競爭元件相比，IR 150V MOSFET提供的總閘電荷低多達59%。至於新款200V MOSFET的閘電荷，則比競爭元件的低多達33%。
IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：「隨著DC-DC功率轉換應用技術日益進步，開關頻率也有所提高，輸入電容和閘電荷在整體效率方面擔當起重要的角色。開關損耗的多少對快速開關電路來說是關鍵的問題。IR新推出的150V和200V MOSFET正好針對這個挑戰作出最佳化，所以非常適合作為電訊應用中隔離式DC-DC轉換器的主要開關，又或者在任何先進的DC-DC應用中推動輕負載效率。」
這些新款MOSFET達到工業級別及第一級濕度感應度（MSL1）。它們採用TO220、D2PAK、TO262、DPAK和IPAK封裝，全部皆為無鉛設計，並符合電子產品有害物質管制規定（RoHS）指令。
產品的基本規格：
元件編號 封裝 電壓 (V) Id (A) 最大RDS(on) (mOhms) Qg (nC)
IRFB4615PBF TO220 150 35 39 26
IRFS4615PBF D2PAK 150 35 39 26
IRFSL4615PBF TO262 150 35 39 26
IRFB4620PBF TO220 200 25 72.5 25
IRFS4620PBF D2PAK 200 25 72.5 25
IRFSL4620PBF TO262 200 25 72.5 25
現在這些元件已有供應，詳細資料也已刊登於IR的網站www.irf.com。
