ST意法半導體推出新一系列功率MOSFET產品的第一款產品。 新的功率MOSFET系列產品具備極低的ON-resistence及優異的動態和avalanche特性，可幫助客戶大幅地降低其照明應用的傳導損耗及強化其產品的效能和可靠性。
因應商用照明應用市場對更高功率密度和更低成本的產品的持續需求，促使半導體廠商必須致力於提供最佳化的IC 解決方案。新推出的最佳化功率MOSFET STD11NM60N採用ST第二代具專利的MDmeshTM 技術，最大通態電阻 RDS (ON) 為450 mOhm，比起上一代MDmeshTM技術，可降低其電阻值高達55%，同時也並不會影響其對temperature dependence的精確控制。
除透過最小化的電阻值來大幅降低其ON-state外，這個600V產品的主要特性還包括一個節能的驅動電路，可使MOSFET能夠在較低的VGS(th)（Voltage Gate Threshold）電壓下驅動更高的電流。 事實上，雖然維持一樣的Threshold spread (2V)，但是驅動該器件所需的VGS電壓範圍已經降低了，進而使其驅動電路的性能更為最佳化，並確保元件具有優異的噪音降低功能以防止電路意外啟動。
STD11NM60N的主要特性包括一個優異的具dv/dt性能的二極體和出色的avalanche特性，可協助客戶確保其工作溫度維持在標準的範圍內。 因為其傳導損耗和功率消耗都很低，此產品還可協助客戶縮小其散熱器的體積以節省電路板的空間。
此小尺寸的晶片提供超小的DPAK/IPAK和TO-220FP 封裝，特別適合照明應用產品，如大功率因數(High Power Factor)電子安定器和高強度放電燈管（High Intensity Discharge, HID）的電子安定器。
STD11NM60N現已量產。 更多相關產品詳細資訊，請查詢ST公司網站︰www.st.com/pmos
