美國國家半導體直接射頻取樣ADC使無線電架構出現突破性變革

本文作者:admin       點擊: 2011-07-12 00:00
前言:
美國國家半導體公司(National Semiconductor Corp.)(美國紐約證券交易所上市代碼:NSM)宣佈推出一系列業界首款可對超過2.7 GHz射頻訊號直接取樣的類比數位轉換器(ADC),其三階互調失真(IMD3)可高達-71 dBc而取樣速度也高達3.6GSPS。產品的簡介影片可瀏覽網頁 http://www.national.com/rfadc 。

 
ADC12Dxx00RF系列包括五個12位元類比數位轉換器(ADC),有助於系統設計人員省去多個中頻(IF)下變頻段,包括放大器、混頻器和濾波器。使用一個ADC12Dxx00RF就可取代整個無線電訊號路徑子系統,因此可大幅降低3G/4G無線基地台、微波回傳傳輸系統、軍事和寬頻軟體無線電(SDR)應用物料清單(BOM)成本,並縮減電路板尺寸和重量。
 
美國國家半導體高速訊號路徑部行銷總監Jon Baldwin表示:「無線電設計人員正在尋求新的方法來增加無線容量,同時還要降低成本、尺寸和重量。基於射頻取樣ADC的架構提供了這些好處,但長期以來人們一直認為這項技術離實際應用還有幾年時間。憑藉結合無與倫比的高頻動態範圍和業界最高的取樣率,ADC12Dxx00RF系列ADC產品為我們客戶提供一種核心技術,使他們現在就可以開發直接射頻取樣無線電。」
 
美國國家半導體領先業界的GSPS ADC系列加入接腳相容的ADC12Dxx00RF ADC產品後,可以提供每秒500百萬次取樣(MSPS)至3.6 GSPS的簡單升級路徑:
• ADC12D1800RF晶片的交錯式單通道取樣率高達3.6 GSPS,雙通道取樣速度則高達1.8 GSPS,在2.7 GHz條件下IMD3為-64 dBc。若欲瞭解更多資訊,可瀏覽網頁http://www.national.com/pf/DC/ADC12D1800RF.html。 
• ADC12D1600RF晶片的交錯式單通道取樣率高達3.2 GSPS,雙通道取樣速度則高達1.6 GSPS,在2.7 GHz條件下IMD3為-70 dBc。若欲瞭解更多資訊,可瀏覽網頁http://www.national.com/pf/DC/ADC12D1600RF.html。 
• ADC12D1000RF晶片的交錯式單通道取樣率高達2.0 GSPS,雙通道取樣速度則高達1.0 GSPS,在2.7 GHz條件下IMD3為-69 dBc。若欲瞭解更多資訊,可瀏覽網頁http://www.national.com/pf/DC/ADC12D1000RF.html。 
• ADC12D800RF晶片的交錯式單通道取樣率高達1.6 GSPS,雙通道取樣速度則高達800 MSPS,在2.7 GHz條件下IMD3為-71 dBc。若欲瞭解更多資訊,可瀏覽網頁http://www.national.com/pf/DC/ADC12D800RF.html。 
• ADC12D500RF晶片的交錯式單通道取樣率高達1.0 GSPS,雙通道取樣速度則高達500 MSPS,在2.7 GHz條件下IMD3為-69 dBc。若欲瞭解更多資訊,可瀏覽網頁http://www.national.com/pf/DC/ADC12D500RF.html。 

 
這些直接射頻取樣ADC涵蓋所有頻率的優異線性效能可以為其他元件帶來更多的系統餘量,以降低其效能要求,同時節省更多的成本和設計時間。為建構完整的訊號路徑解決方案,ADC12Dxx00RF ADC可與美國國家半導體的雙通道、數位控制可變增益放大器(DVGA)或LMH6554全差動放大器,以及LMX2541頻率合成器或美國國家半導體LMK04800時脈抖動消除器其中一款搭配使用。
 
價格及供貨情況
美國國家半導體這五款12位元射頻取樣類比數位轉換器現已上市,都採用接腳相容的耐熱增強型292焊點BGA封裝。若欲瞭解更多定價、樣品和評估板資訊可瀏覽網頁http://www.national.com/rfadc#products。

 

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