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主筆閒談:從資本支出看2010

本文作者:admin       點擊: 2009-12-17 00:00
前言:
台積電(TSMC)10月底的法人說明會上,董事長暨執行長張忠謀開心說出「期待台積公司明年可以創新紀錄」,隨後該公司發言人暨財務長何麗梅趕緊補充說明,希望老闆一時雄心萬丈所說的話,不要被過份樂觀解讀,她甚至還算給大家看,張忠謀說要回到台積電獲利歷史紀錄的2006年,由於員工分紅費用化,大約稅後淨利的15%要考量進去,所以,台積電2010年的獲利目標是1080億元。

與中芯的訴訟和解,中芯同意在先前2005年和解協議下已支付的1億3,500萬美元之外,再支付台積電2億美元。

台積電今年前三季資本支出預算430億元,全年資本支出預算27億美元,約當新台幣864億元,從10月底的法說會,到12月初的供應商大會,資本支出的大手筆,意味著,2009年第四季,台積電的採購會十分忙碌。而更令供應商期待的是,張忠謀說,明年的資本支出,還會更多得多。

累計台積電2009年10月初到12月初,2個月期間大宗設備及廠務資本支出,超過新台幣145億元。這145億元的採購金額中,第一名是黃光微影設備廠商ASML,金額超過50億元,其次是Applied Materials的35億元,第三則為日本CMP設備大廠EBARA的12億元。

聯電(UMC)在10月底法人說明會後,也宣布2009年全年度資本支出約5億美元,折合新台幣約160億元。統計聯電在過去2個月期間大宗設備及廠務資本支出,超過78億元,其中第一名為日本TEL的15億元、第二名ASML的11億元,LAM Research 以將近10億元居第三。

聯電執行長孫世偉表示,聯電第三季高階製程需求持續增加,來自65奈米以下技術產品所貢獻之營業額較上季成長40% 以上,預期第四季還會進一步提昇。該公司除了在新加坡之生產基地 Fab12i 廠區開始建立 45/40 奈米製程,同時也擴充 65/55 奈米製程產能,將大幅提昇 Fab12i 廠,三成產能。

聯電準備在2010年大幅提高資本支出,將積極擴充台南科學園區生產基地 Fab12A 廠45/40 奈米製程產能,之外,也將佈建28 奈米的研發設備。Fab12A 第三期和第四期廠房內無塵室相關設施佈建,也顯示聯電對於進一步擴大先進製程產能和市場佔有率的旺盛企圖心。

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