FSI International將ViPR™全濕式光阻去除技術延伸至NAND型快閃記憶體的製造上

本文作者:admin       點擊: 2009-03-25 00:00
前言:
全球半導體製造的晶圓清洗與表面處理設備領導供應商FSI International (Nasdaq: FSII)近日宣佈,該公司具備ViPR™ 全濕式、免灰化製程清洗技術的ZETA®清洗系統在一家主要記憶體製造商成功地延伸應用至NAND技術的生產製造上。許多元件製造商已相當了解採用FSI 的ZETA ViPR技術在矽化物形成製程上的優勢,而此IC製造商則進一步評估將該系統的全濕式光阻去除能力應用於先進的NAND製造廠以杜絕因灰化機台造成的元件損傷。此一客戶已在實際生產製造上認可了該系統免灰化製程的光阻去除能力,同時也以此一單步驟製程取代了原有的灰化-清洗兩步驟製程。

「NAND技術持續引領元件尺寸微型化的步伐。」FSI總裁暨執行長Don Mitchell表示,「將ZETA ViPR技術延伸應用在NAND的製造技術上證明了全濕式光阻去除在先進製程的重要附加價值,而此一附加價值更將隨著元件尺寸持續小型化而更加彰顯。對我們的客戶而言,他們可因而擁有一個真正差異化的製程,不僅能縮減開發週期與資本支出,更可降低營運成本。」

市場上對ZETA ViPR技術的接受度不斷提高,主要是由於其具備的卓越能力,可在大多數光阻移除程序中省略灰化製程工序,同時有效去除先進矽化物形成製程之後的殘留金屬。在光阻移除部份,除了最極端的植入情況之外,擁有獨特化學反應能力的ZETA ViPR製程皆可藉由單獨的濕化學作用去除光阻。應用ViPR技術不僅可節省灰化製程所需的時間和成本,更可免除由灰化造成的損害以及摻雜劑/元件底材的損耗。至於矽化物形成製程之後的金屬去除部份,ZETA ViPR技術則可在不損壞矽化物的情況下有效去除未反應的金屬。更特別的是,此一技術成功的整合了最先進的鎳鉑矽化物形成製程,可採用更低退火溫度來降低接面漏電流,進而提高製程良率。


如欲了解進一步資訊,請造訪FSI企業網站 http://www.fsi-intl.com。


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