量測是能否完美激發碳化矽(SiC)、氮化鎵 (GaN) 等寬能隙 (WBG) 半導體潛力的關鍵推手。雖然用的都是示波器 (Oscilloscope) 等基礎儀器，但「雙脈衝」(Double Pulse)測試卻是不可或缺的環節。
羅德史瓦茲 (Rohde & Schwarz, R&S) 示波器產品經理黃俊雄解釋，不論是內部或對外供客戶參考的數據表、模組生產測試、模組選擇或轉換器 (Converter) 設計常會用到示波器做「雙脈衝」測試，用於量測開關損耗和反向恢復損耗——包括：Turn-on/off delay time (TDelay-On/Off)、Rise and fall times (TRise, TFall)、Speed (di/dt, dv/dt)、Switching Energy (EON, EOFF, ERR) 等。
專 精 功 率 元 件 的 達 爾 國 際(Diodes) 亦贊同雙脈衝測試對於寬能隙的重要。專案經理詹雅惠表示，元件製造商在意的是耐壓、導通、驅動電壓等靜態參數，但站在模組、馬達、車廠等中、下游廠商立場，更關心的是切換損耗 (Switch Loss)、閘極充放 (Gate Charge) 電容的電荷量 (Qg)、dv/dt、di/dt 等動態參數。碳化矽切換快、損耗低，雙脈衝須很精準且須
排除電感等外部雜訊以免誤導。
圖：羅德史瓦茲「寬能隙」相關量測設備 資料來源：羅德史瓦茲 (Rohde & Schwarz, R&S)
