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英飛凌:汽車電氣化驅動寬能隙功率半導體大規模應用

本文作者:编辑部       點擊: 2022-04-13 10:45
前言:

英飛凌:汽車電氣化驅動寬能隙功率半導體大規模應用         (看全文請點擊) 

未來數年中,不同的半導體技術將並存於市場中,在不同的應用場景中分別具有特殊的優勢。
 
在牽引逆變器中,基於不同的里程、效率和成本考量,SiC 和矽基IGBT 各有各的發揮空間。例如,SiC 用於後輪驅動,可提升巡航里程;而矽基IGBT 則用於前輪,以便優化成本。在極端情況下, 例如車載充電器中,在同一架構下,會同時採用多達五種不同的半導體技術,包括IGBT,矽基二極體、矽基MOSFET,超接面 MOSFET 和   SiC MOSFET。
 
照片人物: 英飛凌工業電源控制事業部大中華區高級市場總監沈璐
 

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