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Power the Future with ROHM's SiC Power Devices
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影片介紹 :
與傳統的矽元件相比，碳化矽（SiC）元件由於擁有低導通電阻特性以及出色的高溫、高頻和高壓性能，已經成為下一代低損耗半導體可行的候選元件。此外，SiC讓設計人員能夠減少元件的使用，可進一步降低設計的複雜程度。SiC元件的低導通電阻特性有助大幅降低設備能耗，進而設計出可減少CO2排放量的環保型產品和系統。 ROHM在SiC功率元件和模組的開發領域處於領先地位，這些元件和模組在許多行業的應用中都實現了更佳的節能效果。 ROHM 碳化矽（SiC）元件專頁：https://www.rohm.com.tw/products/sic-... |
